GaSe Crystal

Gallium Selenide (GaSe) non-linear optical single crystal သည် ကြီးမားသော linear coefficient၊ မြင့်မားသော ပျက်စီးမှုအဆင့်နှင့် ကျယ်ပြန့်သော ပွင့်လင်းမြင်သာမှုအကွာအဝေးကို ပေါင်းစပ်ထားသည်။GaSe သည် IR အလယ်အလတ်ရှိ SHG အတွက် အလွန်သင့်လျော်သော ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။DIEN နည်းပညာထူးခြားသောအရွယ်အစားနှင့် အရည်အသွေးမြင့်မားသော GaSe crystal ကို ပေးစွမ်းသည်။

GaSe ၏ ကြိမ်နှုန်းနှစ်ဆ ဂုဏ်သတ္တိများကို 6.0 µm နှင့် 12.0 µm အကြား လှိုင်းအလျားအကွာအဝေးတွင် လေ့လာခဲ့သည်။GaSe ကို ထိရောက်သော SHG ၏ CO2 လေဆာ (9% ပြောင်းလဲခြင်းအထိ) အတွက် အောင်မြင်စွာ အသုံးပြုခဲ့သည်။CO2 နှင့် ဓာတု DF-လေဆာ (l = 2.36 µm) ဓါတ်ရောင်ခြည်အတွက် SHG;CO နှင့် CO2 လေဆာရောင်ခြည်ကို မြင်နိုင်သောအကွာအဝေးသို့ ပြောင်းလဲခြင်း၊Neodymium နှင့် အနီအောက်ရောင်ခြည် ဆိုးဆေး လေဆာ သို့မဟုတ် (F-)-centre လေဆာပဲမျိုးစုံ ရောစပ်မှုမှတစ်ဆင့် အနီအောက်ရောင်ခြည် ထုတ်လုပ်မှု၊3.5-18 µm အတွင်း OPG အလင်းထုတ်လုပ်ခြင်း၊terahertz (T-rays) ဓါတ်ရောင်ခြည်မျိုးဆက်။ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံ (001) အလျားလိုက်) အသုံးချဧရိယာများကို ကန့်သတ်ထားသောကြောင့် အချို့သော အဆင့်လိုက်ဖက်သောထောင့်များအတွက် ပုံဆောင်ခဲများကို ဖြတ်တောက်ရန် မဖြစ်နိုင်ပါ။
GaSe သည် အလွန်ပျော့ပျောင်းပြီး အလွှာလိုက် ကြည်လင်သည်။သတ်မှတ်ထားသောအထူဖြင့် ပုံဆောင်ခဲများထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ကျွန်ုပ်တို့သည် အလွတ်ကိုစတင်၍ ပိုထူသည်၊ ဥပမာအားဖြင့်၊ 1-2 မီလီမီတာအထူကိုယူပြီး မျက်နှာပြင်ချောမွေ့မှုနှင့် ချောမွေ့ညီညာမှုကို ထိန်းသိမ်းထားစဉ် အလွှာအလိုက် အထူသို့ချဉ်းကပ်ရန် အလွှာတစ်ခုချင်းစီကို စတင်ဖယ်ရှားသည်။သို့သော် 0.2-0.3 မီလီမီတာ သို့မဟုတ် ထိုထက်နည်းသော GaSe ပြားအထူအတွက် အလွယ်တကူ ကွေးညွှတ်နိုင်ပြီး ပြားချပ်ချပ်တစ်ခုအစား အကွေးမျက်နှာပြင်ကို ရရှိသည်။
ထို့ကြောင့် ကျွန်ုပ်တို့သည် CA အဖွင့်ဒိုင်ယာပါရှိသော dia.1'' ကိုင်ဆောင်ထားသော 10x10 မီလီမီတာ ပုံဆောင်ခဲအတွက် 0.2 မီလီမီတာ အထူတွင် ရှိနေပါသည်။9-9.5 မီလီမီတာ။
တစ်ခါတစ်ရံတွင် ကျွန်ုပ်တို့သည် 0.1 မီလီမီတာ ပုံဆောင်ခဲများအတွက် အမှာစာများကို လက်ခံသော်လည်း၊ ဤမျှလောက်ပါးလွှာသော crystals များအတွက် ကောင်းမွန်ချောမွေ့မှုကို အာမခံချက်မရှိပါ။
GaSe crystals ၏အသုံးချမှုများ
• THz (T-rays) ဓာတ်ရောင်ခြည်ထုတ်လုပ်ခြင်း;
• THz အပိုင်းအခြား- 0.1-4 THz;
• CO 2 လေဆာ၏ထိရောက်သော SHG (9% အထိပြောင်းလဲခြင်း);
• pulsed CO, CO2 နှင့် chemical DF-laser (l = 2.36 mkm) ဓါတ်ရောင်ခြည်အတွက် SHG;
• CO နှင့် CO2 လေဆာရောင်ခြည်ကို မြင်နိုင်သောအကွာအဝေးသို့ ပြောင်းလဲခြင်း။Neodymium နှင့် အနီအောက်ရောင်ခြည် ဆိုးဆေး လေဆာ သို့မဟုတ် (F-)-centre လေဆာပဲမျိုးစုံ ရောစပ်မှုမှတစ်ဆင့် အနီအောက်ရောင်ခြည် ထုတ်လုပ်မှု၊
• OPG အလင်းထုတ်လုပ်ခြင်း 3.5 - 18 mkm အတွင်း။
IR အလယ်တွင် SHG (CO2၊ CO၊ ဓာတု DF-လေဆာ စသည်)၊
IR လေဆာရောင်ခြည်ကို မြင်နိုင်သော အကွာအဝေးသို့ ပြောင်းလဲခြင်း။
3 မှ 20 µm အတွင်း parametric ထုတ်လုပ်မှု
GaSe crystals ၏အဓိကဂုဏ်သတ္တိများ
ပွင့်လင်းမြင်သာမှုအကွာအဝေး၊ µm 0.62 - 20
ပွိုင့်အုပ်စု 6m2
ရာဇမတ်ကွက်ဘောင်များ a = 3.74, c = 15.89 Å
သိပ်သည်းဆ၊ g/cm3 5.03
Mohs မာကျောမှု ၂
အလင်းယပ်ညွှန်းကိန်းများ-
5.3 µm တွင် no= 2.7233၊ ne= 2.3966
10.6 µm တွင် no= 2.6975၊ ne= 2.3745
non-linear coefficient၊ pm/V d22 = 54
5.3 µm တွင် 4.1° ကို ဖြတ်ပါ။
အလင်းပျက်စီးမှုအဆင့်၊ MW/cm2 28 (9.3 µm, 150 ns);0.5 (10.6 µm၊ CW မုဒ်တွင်);30 (1.064 µm၊ 10 ns)