La3Ga5SiO14 crystal (LGS crystal) သည် မြင့်မားသော ပျက်စီးမှုအဆင့်၊ မြင့်မားသော electro-optical coefficient နှင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော electro-optical စွမ်းဆောင်ရည်ပါရှိသော လိုင်းမဟုတ်သော အရာတစ်ခုဖြစ်သည်။LGS crystal သည် trigonal စနစ်တည်ဆောက်ပုံ၊ သေးငယ်သောအပူချဲ့ကိန်းကိန်း၊ ပုံဆောင်ခဲ၏အပူချဲ့ထွင်မှု anisotropy အားနည်းသည်၊ မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှု၏အပူချိန်သည် ကောင်းမွန်သည် (SiO2 ထက်ပိုမိုကောင်းမွန်သည်)၊ လွတ်လပ်သောလျှပ်စစ်- optical coefficients နှစ်ခုသည် BBO ကဲ့သို့ကောင်းမွန်ပါသည်။ သလင်းကျောက်များ။electro-optic coefficients များသည် ကျယ်ပြန့်သော အပူချိန်တွင် တည်ငြိမ်သည်။Crystal သည် ကောင်းမွန်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ ၊ ကွဲအက်ခြင်းမရှိ ၊ ဖောက်ပြန်မှုမရှိ ၊ ရူပဗေဒ ဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှု ရှိပြီး အလွန်ကောင်းမွန်သော ပြည့်စုံသော စွမ်းဆောင်ရည် ရှိပါသည်။LGS crystal တွင်ကျယ်ပြန့်သောဂီယာတီးဝိုင်းရှိပြီး 242nm-3550nm မှမြင့်မားသောဂီယာနှုန်းရှိသည်။EO modulation နှင့် EO Q-Switches များအတွက် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။
LGS crystal တွင် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချပရိုဂရမ်များပါရှိသည်- piezoelectric effect၊ optical rotation effect အပြင်၊ ၎င်း၏ electro-optical effect စွမ်းဆောင်ရည်သည် အလွန်သာလွန်သည်၊ LGS Pockels Cells များတွင် ထပ်ခါတလဲလဲကြိမ်နှုန်း မြင့်မားသည်၊ ကြီးမားသောအပိုင်း အလင်းဝင်ပေါက်၊ ကျဉ်းမြောင်းသော သွေးခုန်နှုန်း အကျယ်၊ ပါဝါမြင့်မားသော၊ ultra -low temperature နှင့် အခြားသော အခြေအနေများသည် LGS crystal EO Q -switch အတွက် သင့်လျော်ပါသည်။ကျွန်ုပ်တို့သည် LGS Pockels ဆဲလ်များပြုလုပ်ရန် γ 11 ၏ EO ကိန်းကို အသုံးပြုကာ၊ အားလုံး- Solid-state ၏ အီလက်ထရွန်းအလင်းစနစ်အတွက် သင့်လျော်နိုင်သည့် LGS Electro-optical ဆဲလ်များ၏ လှိုင်းတစ်ဝက်ဗို့အားကို လျှော့ချရန်အတွက် ၎င်း၏ပိုကြီးသောအချိုးအစားကို ရွေးချယ်ခဲ့သည်။ ပိုမိုမြင့်မားသောပါဝါထပ်ကျော့နှုန်းနှင့်အတူလေဆာ။ဥပမာအားဖြင့်၊ ၎င်းအား အမြင့်ဆုံးနှုန်း 200KHZ အထိ၊ အမြင့်ဆုံးထွက်ရှိမှု 715w အထိ၊ pulse width 46ns အထိ၊ စဉ်ဆက်မပြတ် မြင့်မားသော ပျမ်းမျှပါဝါနှင့် စွမ်းအင်ဖြင့် LD Nd:YVO4 solid-state လေဆာကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ အထွက် 10w နီးပါးအထိရှိပြီး optical damage threshold သည် LiNbO3 crystal ထက် 9-10 ဆ ပိုများသည်။1/2 လှိုင်းဗို့အားနှင့် 1/4 လှိုင်းဗို့အားတို့သည် တူညီသောအချင်း BBO Pockels Cells များထက် နိမ့်နေပြီး ပစ္စည်းနှင့် တပ်ဆင်စရိတ်များသည် တူညီသောအချင်း RTP Pockels Cells များထက် နိမ့်ပါသည်။DKDP Pockels Cells များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ၎င်းတို့သည် အဖြေမရှိသည့်အပြင် အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုလည်း ကောင်းမွန်ပါသည်။LGS Electro-optical Cells များကို ကြမ်းတမ်းသော ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် အသုံးပြုနိုင်ပြီး မတူညီသော အပလီကေးရှင်းများတွင် ကောင်းမွန်စွာ လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။
ဓာတုဖော်မြူလာ | La3Ga5SiQ14 |
သိပ်သည်းဆ | 5.75g/cm3 |
အရည်ပျော်မှတ် | 1470 ℃ |
ပွင့်လင်းမြင်သာမှုအပိုင်း | 242-3200nm |
အလင်းယပ်ညွှန်းကိန်း | ၁.၈၉ |
Electro-Optic Coefficients | γ41=1.8pm/V၊γ11=2.3pm/V |
ခုခံနိုင်စွမ်း | 1.7×1010Ω.cm |
အပူပိုင်းချဲ့ထွင်မှု Coefficients | α11=5.15×10-6/K(⊥Z-ဝင်ရိုး);α33=3.65×10-6/K(∥Z-ဝင်ရိုး) |