GaSe သိ့
GaSe crystal ကိုအသုံးပြု၍ အထွက်လှိုင်းအလျားကို 58.2 µm မှ 3540 µm (172 cm-1 မှ 2.82 cm-1) အကွာအဝေးတွင် ချိန်ညှိထားပြီး အထွတ်အထိပ်ပါဝါ 209 W. ဤ THz ၏ အထွက်ပါဝါအား သိသာစွာ မြှင့်တင်ထားပါသည်။ အရင်းအမြစ် 209 W မှ 389 W ။
ZnGeP2 ပုံဆောင်ခဲများ
အခြားတစ်ဖက်တွင်၊ ZnGeP2 ပုံဆောင်ခဲတစ်ခုရှိ DFG ကိုအခြေခံ၍ အထွက်လှိုင်းအလျားအား 83.1–1642 µm နှင့် 80.2–1416 µm အကွာအဝေးများတွင် ချိန်ညှိပေးထားပါသည်။ အသီးသီး။ အထွက်ပါဝါသည် 134 W သို့ရောက်ရှိသွားပါသည်။
ကွာဟချက်သိ့
GaP crystal ကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် အထွက်လှိုင်းအလျားကို 71.1-2830 µm အကွာအဝေးတွင် ချိန်ညှိထားပြီး အမြင့်ဆုံးစွမ်းအားမှာ 15.6 W. GaP ကို GaSe နှင့် ZnGeP2 တို့ကို အသုံးပြုခြင်း၏ အားသာချက်မှာ ထင်ရှားသည်- လှိုင်းအလျားချိန်ညှိမှုရရှိရန်အတွက် crystal rotation ကို မလိုအပ်တော့ပါ။ထိုအစား၊ တစ်ခုသည် 15.3 nm အထိ ကျဉ်းမြောင်းသော bandwidth အတွင်းရှိ mixing beam တစ်ခု၏ လှိုင်းအလျားကို ချိန်ညှိရန် လိုအပ်ပါသည်။
အနှစ်ချုပ်ရန်
0.1% သည် ပန့်ရင်းမြစ်များအဖြစ် စီးပွားဖြစ်ရရှိနိုင်သည့် လေဆာစနစ်ကို အသုံးပြုထားသော တက်ဘလက်စနစ်အတွက် အမြင့်ဆုံးဖြစ်သည်။ GaSe THz ရင်းမြစ်နှင့် ယှဉ်ပြိုင်နိုင်သည့် တစ်ခုတည်းသော THz ရင်းမြစ်သည် အလွန်ကြီးမားသော လွတ်လပ်သော အီလက်ထရွန်လေဆာဖြစ်ပြီး၊ ပြီးတော့ ကြီးမားတဲ့ လျှပ်စစ်စွမ်းအင်ကို စားသုံးတယ်။ထို့အပြင်၊ ဤTHz ရင်းမြစ်များ၏ အထွက်လှိုင်းအလျားများကို ပုံသေလှိုင်းအလျားတစ်ခုစီထုတ်ပေးနိုင်သည့် quantum cascade လေဆာများနှင့်မတူဘဲ အလွန်ကျယ်ပြန့်သောအကွာအဝေးတွင် ချိန်ညှိနိုင်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်ကြည့်နိုင်သော monochromatic THz ရင်းမြစ်များကို အသုံးပြု၍ နားလည်နိုင်သော အချို့သောအပလီကေးရှင်းများသည် ဖြစ်မည်မဟုတ်ပါ။ subpicosecond THz pulses သို့မဟုတ် quantum cascade လေဆာများကို အားကိုးပါက ဖြစ်နိုင်သည်။
