Terahertz အရင်းအမြစ်များသည် THz ရောင်ခြည်ဖြာထွက်ခြင်းနယ်ပယ်တွင် အရေးကြီးဆုံးနည်းပညာများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ THz ရောင်ခြည်ရရှိရန် နည်းလမ်းများစွာကို လုပ်ဆောင်နိုင်ခဲ့ကြောင်း သက်သေပြခဲ့သည်။ ပုံမှန်အားဖြင့်၊ တယ်လီကွန်းနှင့် ဖိုနစ်နည်းပညာများ။photonics တွင်၊ ကြီးမားသော nonlinear coefficient ကိုအခြေခံ၍ nonlinear optical ခြားနားမှု-ကြိမ်နှုန်းထုတ်လုပ်ခြင်း၊ high optical damage threshold nonlinear crystals များသည် စွမ်းအားမြင့်၊ tunable၊ portable နှင့် room temperature လည်ပတ်သည့် THz wave ကိုရရှိရန်နည်းလမ်းများထဲမှတစ်ခုဖြစ်သည်။GaSe နှင့် ZnGeP2(ZGP) nonlinear crystals များကို အများအားဖြင့် အသုံးချသည်။
မီလီမီတာနှင့် THz လှိုင်းတွင် စုပ်ယူမှုနည်းသော GaSe ပုံဆောင်ခဲများ၊ မြင့်မားသော ပျက်စီးနေသော တံခါးခုံနှင့် မြင့်မားသော ဒုတိယမဟုတ်သော ကိန်းဂဏန်းများ (d22 = 54 pm/V) ကို 40μm အတွင်း Terahertz လှိုင်းကို စီမံဆောင်ရွက်ရာတွင် အများအားဖြင့် အသုံးပြုလေ့ရှိပြီး လှိုင်းအလျားရှည်သော Thz wave (40μm ကျော်လွန်) ကို ဖြတ်တောက်နိုင်သည်။11.19°-23.86°[eoo (e - o = o)]၊ နှင့် 12.19°-27.01°[eoe (e - o = o)] တွင် 2.60 -39.07μm တွင် ညှိနိုင်သော THz လှိုင်းကို သက်သေပြခဲ့ပြီး၊ နှင့် 12.19°-27.01°[eoe (e - ဏ = င)] ။ထို့အပြင်၊ 1.13°-84.71°[oee (o - e = e)] ကိုက်ညီသောအခါတွင် 42.39-5663.67μm tunable THz လှိုင်းကို ရရှိခဲ့သည်။
မြင့်မားသော linear coefficient၊ မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု၊ မြင့်မားသော optical ပျက်စီးမှုအဆင့်သတ်မှတ်ချက်များပါရှိသော ZnGeP2 (ZGP) crystal များကို အထူးကောင်းမွန်သော THz ရင်းမြစ်တစ်ခုအဖြစ် သုတေသနပြုထားပါသည်။ZnGeP2 တွင် d36 = 75 pm/V) တွင် KDP ပုံဆောင်ခဲများ၏ အဆ 160 ရှိသည့် ဒုတိယလိုင်းမဟုတ်သောဖော်ကိန်းလည်းရှိသည်။ZGP ပုံဆောင်ခဲများ၏ အမျိုးအစားအဆင့် တူညီသည့်ထောင့် နှစ်ခုသည် (1.03°-10.34°[oee (oe = e)]& 1.04°-10.39°[oeo (oe= e)]) အလားတူ THz အထွက် (43.01 -5663.67μm) ကို လုပ်ဆောင်နေသည်၊ oeo အမျိုးအစားသည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော ထိရောက်မှုမရှိသော ဖော်ကိန်းကြောင့် ပိုမိုကောင်းမွန်သော ရွေးချယ်မှုဖြစ်ကြောင်း သက်သေပြခဲ့သည်။အချိန်အတော်ကြာသောအခါ၊ Terahertz ရင်းမြစ်အတိုင်း ZnGeP2 crystals ၏ အထွက်နှုန်းမှာ ကန့်သတ်ထားသည်၊ အကြောင်းမှာ အခြားပေးသွင်းသူများထံမှ ZnGeP2 crystal သည် အနီအောက်ရောင်ခြည် (1-2μm) အနီးရှိ အနီအောက်ရောင်ခြည်တွင် စုပ်ယူမှုမြင့်မားသောကြောင့်ဖြစ်သည်): စုပ်ယူမှု Coefficient >0.7cm-1 @1μm နှင့် >0.06 cm-1@2μm။သို့သော်၊ DIEN TECH သည် ZGP (မော်ဒယ်: YS-ZGP) ပုံဆောင်ခဲများကို စုပ်ယူမှုအလွန်နည်းသည်- စုပ်ယူမှုကိန်းဂဏန်း <0.35cm-1@1μm နှင့် <0.02cm-1@2μm တို့ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။အဆင့်မြင့် YS-ZGP crystals များသည် သုံးစွဲသူများအား ပိုမိုကောင်းမွန်သော output ကို ရရှိစေပါသည်။
ကိုးကား-'基于 GaSe 和 Zn GeP2 晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的理论研究'2008 ချင်းပြည်နယ်။ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ။Soc
